Tipe Umum RAM
SRAM (Static Random Access Memory)
Kata "statik" menandakan bahwa memori memegang isinya selama listrik tetap berjalan, tidak seperti RAM dinamik (DRAM) yang membutuhkan untuk "disegarkan" ("refreshed") secara periodik. Hal ini dikarenakan SRAM didesain menggunakan transistor tanpa kapasitor. Tidak adanya kapasitor membuat tidak ada daya yang bocor sehingga SRAM tidak membutuhkan refresh periodik. SRAM juga didesain menggunakan desain cluster enam transistor untuk menyimpan setiap bit informasi.
Desain ini membuat SRAM lebih mahal tapi juga lebih cepat jika dibandingkan dengan DRAM. Secara fisik chip, biaya pemanufakturan chip SRAM kira kira tiga puluh kali lebih besar dan lebih mahal daripada DRAM. Tetapi SRAM tidak boleh dibingungkan dengan memori baca-saja dan memori flash, karena ia merupakan memori volatil dan memegang data hanya bila listrik terus diberikan. Akses acak menandakan bahwa lokasi dalam memori dapat diakses, dibaca atau ditulis dalam waktu yang tetap tidak memperdulikan lokasi alamat data tersebut dalam memori. Chip SRAM lazimnya digunakan sebagai chace memori , hal ini terutama dikarenakan kecepatannya. Saat ini SRAM dapat diperoleh dengan waktu akses dua nano detik atau kurang , kira kira mampu mengimbangi kecepatan processor 500 MHz atau lebih.
NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory)
NVRAM Merupakan sebuah jenis memori komputer dengan akses acak (RAM) yang umumnya digunakan untuk menyimpan konfigurasi yang dilakukan oleh firmware, seperti BIOS, EFI atau firmware-firmware lainnya pada perangkat embedded, semacam router. Umumnya, NVRAM dibuat dengan teknologi manufaktur CMOS (Complimentary Metal-Oxide Semiconductor) sehingga daya yang dibutuhkannya juga kecil. Untuk menghidupinya agar data yang disimpan tidak hilang, NVRAM menggunakan sebuah baterai Litium dengan nomor seri CR-2032. Data yang tersimpan pada NVRAM tidak akan hilang meskipun catu daya dimatikan (bersifat permanen), hal ini berbeda dengan Voletile RAM.
DRAM (Dynamic Random Access Memory)
DRAM Merupakan jenis random akses memori yang menyimpan setiap bit data yang terpisah dalam kapasitor dalam satu sirkuit terpadu. Karena kapasitornya selalu bocor, informasi yang tersimpan akhirnya hilang kecuali kapasitor itu disegarkan secara berkala. Karena kebutuhan dalam penyegaran, hal ini yang membuatnya sangat dinamis dibandingkan dengan memori (SRAM) statik memori dan lain-lain. Keuntungan dari DRAM adalah kesederhanaan struktural: hanya satu transistor dan kapasitor yang diperlukan per bit, dibandingkan dengan empat di Transistor SRAM. Hal ini memungkinkan DRAM untuk mencapai kepadatan sangat tinggi. Tidak seperti flash memori, memori DRAM itu mudah "menguap" karena kehilangan datanya bila kehilangan aliran listrik.
Fast Page Mode (FPM) DRAM
Sedikit lebih cepat dari DRAM konvensional. Sementara DRAM standar mensyaratkan bahwa suatu baris dan kolom akan dikirim untuk mengakses setiap, FPM bekerja dengan mengirimkan alamat baris hanya sekali untuk mengakses banyak memori di lokasi dekat satu sama lain, meningkatkan waktu akses. Memori FPM sendiri merupakan versi perbaikan dari pendahulunya, memori halaman mode, yang sangat jarang terlihat sekarang. Meskipun namanya ("Fast" Page Mode), FPM sebenarnya adalah teknologi memori yang digunakan paling lambat di PC modern. Hampir setiap PC yang dibuat dalam beberapa tahun terakhir yang dirancang untuk menggunakan RAM asynchronous konvensional akan mendukung FPM, dan itu adalah "aman" karena menggunakan teknologi pilihan tidak memerlukan kompatibilitas khusus atau dukungan. Namun, ia menawarkan kinerja yang lebih rendah daripada kebanyakan teknologi memori lainnya. Hal ini juga tidak cocok untuk kecepatan tinggi bus memori lebih dari 66 MHz, karena jumlah yang berlebihan negara menunggu harus ditambahkan. FPM DRAM biasanya memungkinkan sistem meledak timing secepat 5-3-3-3 pada 66 MHz.
EDO RAM (Extented Data Out Random Access Memory)
EDO RAM Memiliki Kemampuan yang lebih cepat dalam membaca dan menstransper data di bandingkan dengan RAM biasa. Slot memori untuk EDO RAM adalah 72 pin. bentuk EDO-RAM Lebih Panjang dari pada RAM yaitu bentuk single inline Memori modul (SIMM). memiliki kecepatn lebih dari 66 Mhz.
XDR DRAM (Extreme data rate dynamic random access memory)
XDR RAM Adalah kinerja tinggi RAM antarmuka dan penerus Rambus RDRAM itu didasarkan pada, bersaing dengan DDR2 SDRAM saingan dan teknologi GDDR4. XDR dirancang untuk menjadi efektif dalam kecil, bandwidth tinggi sistem konsumen, kinerja tinggi aplikasi memori, dan high-end GPU. Ini menghilangkan masalah latency yang sangat tinggi yang melanda bentuk awal RDRAM. Juga, DRAM XDR memiliki penekanan pada bandwidth per pin, yang dapat menguntungkan pengendalian biaya lebih lanjut tentang produksi PCB. Hal ini karena jalur sedikit diperlukan untuk jumlah yang sama bandwidth. Rambus memiliki hak untuk teknologi. XDR digunakan oleh Sony dalam konsol PlayStation 3.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)
SDRAM Merupakan sebuah jenis memori komputer dinamis yang digunakan dalam PC dari tahun 1996 hingga 2003. SDRAM juga merupakan salah satu jenis dari memori komputer kategori solid-state. SDRAM, pada awalnya berjalan pada kecepatan 66 MHz untuk dipasangkan dengan prosesor Intel Pentium Pro/Intel Pentium MMX/Intel Pentium II, dan terus ditingkatkan menjadi kecepatan 100 MHz (dipasangkan dengan Intel Pentium III/AMD Athlon), hingga mentok pada kecepatan 133 MHz (dipasangkan dengan Intel Pentium 4 dan AMD Athlon/Duron). Popularitasnya menurun saat DDR-SDRAM yang mampu mentransfer data dua kali lipat SDRAM muncul di pasaran dengan chipset yang stabil. Setelah itu, akibat produksinya yang semakin dikurangi, harganya pun melonjak tinggi, dengan permintaan pasar yang masih banyak; dengan kapasitas yang sama dengan DDR-SDRAM, harganya berbeda kira-kira Rp. 150000 hingga 250000.
DDR SDRAM (Double data rate synchronous dynamic random-access memory)
DDRS SDRAM adalah kelas memori sirkuit terintegrasi yang digunakan dalam komputer. DDR SDRAM (kadang-kadang disebut sebagai DDR1 SDRAM) telah digantikan oleh DDR2 SDRAM dan DDR3 SDRAM, baik yang baik maju atau mundur kompatibel dengan DDR SDRAM, yang berarti bahwa modul memori DDR2 atau DDR3 tidak akan bekerja di motherboard DDR yang dilengkapi, dan wakil sebaliknya. Dibandingkan dengan data rate tunggal (SDR) SDRAM, DDR SDRAM antarmuka membuat kecepatan transfer yang lebih tinggi dimungkinkan oleh kontrol ketat lebih dari waktu data listrik dan sinyal clock. Implementasi sering harus menggunakan skema seperti sebagai fase-loop terkunci dan self-kalibrasi untuk mencapai akurasi waktu yang diperlukan. Antarmuka menggunakan pompa ganda (mentransfer data pada kedua tepi naik dan turun dari sinyal clock) untuk menurunkan frekuensi clock.
Satu keuntungan dari menjaga frekuensi clock bawah adalah bahwa itu mengurangi persyaratan integritas sinyal pada papan sirkuit yang menghubungkan memori ke controller. Nama "double data rate" mengacu pada fakta bahwa DDR SDRAM dengan frekuensi clock tertentu mencapai hampir dua kali lipat bandwidth tingkat data tunggal (SDR) SDRAM yang berjalan pada frekuensi clock yang sama, karena ini memompa ganda. Dengan data yang ditransfer 64 bit pada satu waktu, DDR SDRAM memberikan transfer rate (bus memory clock rate) × 2 (untuk dual rate) × 64 (jumlah bit yang ditransfer) / 8 (jumlah bit / byte). Jadi, dengan frekuensi bus 100 MHz, DDR SDRAM memberikan transfer rate maksimum 1600 MB / s. "Dimulai pada tahun 1996 dan menyimpulkan pada bulan Juni 2000, JEDEC mengembangkan DDR (Double Data Rate) SDRAM spesifikasi (JESD79)." [3] JEDEC telah menetapkan standar untuk kecepatan data dari DDR SDRAM, dibagi menjadi dua bagian. Spesifikasi pertama adalah untuk chip memori, dan yang kedua adalah untuk modul memori.
RD RAM (Rambus Dynamic Random Access Memory)
Di kembangkan oleh RAMBUS Inc. di amerika serikat (AS) dan merupakan desain yang sepenuhnya unik dan luar biasa cepat. untuk dapat menggunakan RDRAM, harus dilakukan cukup banyak perubahan pada memory controller dan pada antar muka (Interface) memori/system yang di gunakan. RDRAM berbeda dalam banyak dal dari RDRAM konvesional, da juga dari SDRAM, perbedaan yang paling jelas adalah RDRAM menggunakan sesuatu antar muka yang sempit (8 bit) tetapi sangat cepat antara memori controller dan RDRAM itu sendiri. RAM jenis ini memiliki kecepatan sangat tinggi, pertama kali di gunakan untuk komputer dengan prosesor pentium 4. slot memori untuk RDRAM adalah 184 pin. bentuk RD RAM adalah Rate Inline memory module (RIMM). memiliki kecepatn hingga 800 MHz.
Tipe Lain RAM
DPRAM (Dual-ported RAM)
DPRAM adalah jenis Random Access Memory yang memungkinkan membaca atau menulis beberapa terjadi pada saat yang sama, atau hampir saat yang sama, tidak seperti single-porting RAM yang hanya memungkinkan satu akses pada suatu waktu. Video RAM atau VRAM adalah bentuk umum dual-porting RAM dinamis banyak digunakan untuk memori video, yang memungkinkan CPU untuk menarik gambar pada saat yang sama perangkat keras video membacanya keluar ke layar. Selain dari VRAM, sebagian besar jenis lainnya dual-porting RAM didasarkan pada teknologi RAM statis. Kebanyakan CPU mengimplementasikan prosesor register sebagai RAM dual-porting atau multi-porting kecil.
VRAM adalah memori komputer yang digunakan untuk menyimpan data gambar yang ditampilkan di monitor komputer, yang bertindak sebagai buffer antara CPU dan kartu grafis. Bila ada gambar yang akan ditampilkan pada layar, gambar yang pertama dibaca oleh prosesor dan kemudian ditulis dengan VRAM. Data tersebut kemudian diubah oleh RAM digital-ke-analog converter (RAMDAC) menjadi sinyal analog yang dikirim ke layar. seluruh proses yang terjadi begitu cepat yang tidak dapat ditangkap oleh penglihatan manusia. Tidak seperti kebanyakan sistem RAM, VRAM adalah chip dual-porting, yang berarti bahwa saat layar membaca dari VRAM untuk memperbarui gambar yang sedang ditampilkan, maka prosesor yang baru menulis gambar dengan VRAM; hal ini mencegah tampilan dari kerlip antara redrawing tampilan.
WRAM (Window Random Access Memory)
WRAM 1330 AM is a radio station broadcasting a classic country format. Licensed to Monmouth, Illinois, the station serves Monmouth and the Galesburg area. WRAM is owned by Prairie Radio Communications
MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory)
MRAM Adalah memori (RAM) yang menggunakan teknologi electron spin untuk menyimpan informasi di sebuah komputer. MRAM telah disebut "memori yang ideal", yang menggabungkan potensi kepadatan dari DRAM dengan kecepatan SRAM dan non-volatility dari flash memory atau cakram keras. MRAM dapat menolak radiasi tinggi, dan dapat beroperasi dalam kondisi suhu yang ekstrem. MRAM sangat cocok untuk aplikasi militer dan ruang.
FeRAM/FRAM (Ferroelectric RAM)
FeRAM adalah memori random-access memory yang sama dalam konstruksi dengan DRAM tetapi menggunakan lapisan feroelektrik bukan lapisan dielektrik untuk mencapai non-volatilitas. FeRAM adalah salah satu dari meningkatnya jumlah alternatif non-volatile memori teknologi yang menawarkan fungsi yang sama seperti memori Flash. FeRAM keuntungan lebih dari Flash termasuk: penggunaan daya yang rendah, lebih cepat menulis kinerja dan jumlah maksimum yang lebih besar (melebihi 1016 untuk perangkat 3,3 V) dari menulis-menghapus siklus. Kekurangan dari FeRAM adalah kepadatan penyimpanan jauh lebih rendah dari perangkat Flash, keterbatasan kapasitas penyimpanan, dan biaya yang lebih tinggi.
Referensi :
http://id.wikipedia.org/
http://en.wikipedia.org/
Download Artikel Penuh
File Size 12.1 KB